光學薄膜缺陷的特點

光學薄膜缺陷的特點
　　薄膜缺陷的研究大約從1970開始，剛開始薄膜缺陷被表征為薄膜表面特征，認為是一種典型的粗糙度，在一些文獻中薄膜缺陷被描述為節瘤。 Guenther首先對光學薄膜缺陷進行研究，他指出節瘤是在鍍膜過程中對外部干擾顆粒形狀相似復制而形成的；現在薄膜缺陷越來越引起人們的重視，很多文獻建立了薄膜節瘤缺陷模型，其中Lettsl*次提出了節瘤缺陷形成的經驗模型，另外，Kardar提出了一種薄膜生長的非線性連續模型，Tren通過對HfO2/SiO2多層膜缺陷一系列的研究，認為當節瘤顆粒非常小時，節瘤生長模型是無效的，但是同時認為當節瘤顆粒非常大時，由于屏蔽效應會產生更加復雜的缺陷結構。
　 薄膜缺陷類型很多，按照缺陷的性質，可以分為雜質缺陷、電致缺陷、結構缺陷、化學缺陷、力學缺陷以及熱缺陷等等；按照缺陷的形貌來分，大致有結瘤缺陷、陷穴缺陷、條狀缺陷及其它形狀不規則的復雜缺陷。一般來說，缺陷的類型、密度、大小隨膜層材料，沉積工藝以及表面清潔度的不同而不同。對激光薄膜來說，根據實驗觀察，主要有節瘤與陷穴缺陷。