在載體-半抗原效應的研究中，已證明T細胞及B細胞都與免疫記憶有關。即在免疫應答過程中，既能產生B記憶細胞（Bm）,也能產生TH記憶（THm）。免疫記憶現象可以解釋為對特異抗原應答的淋巴細胞數量增加的現象。
用有限稀釋法計數在載體-半抗原效應中免疫記憶細胞的數量變化，發現在T細胞群中對載體特異的T細胞輔助活性比初次應答可增強10倍。這不僅是由于TH細胞數量的增加，也反映了TH功能的增強所致。
有相同方法也證明了在再次應答中對半抗原特異的細胞數量亦增加，由其產生抗體性質的變化，表明B記憶細胞也伴隨有質的變化。關于前進B細胞（Bp）、成熟B細胞（Bv）、記憶B細胞（Bm）的特性可見表11-8。
表11-8 Bp、Bv、Bm細胞的特性
Bp Bv Bm 更新速率 快（數日） 快（數日） 慢（數月～數周） 再循環 無 無 有 組織分布 胚胎期 肝、脾 － － 成年期 骨髓 骨髓、脾、淋巴節 胸導管、脾、淋巴結 耐受性產生 易 難 難 對抗原親和力 － 低 高 過繼抗體產生 慢（2～3周） 快（1～3周） 快（1周） 電泳遷移率 － 快 慢