HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-layer的縮寫，意為本征薄膜異質結，因HIT已被日本三洋公司申請為注冊商標，所以又被稱為HJT或SHJ（Silicon Heterojunction solar cell）。該類型太陽能電池最早由日本三洋公司于1990年成功開發，當時轉換效率可達到14.5%（4mm2的電池），后來在三洋公司的不斷改進下，三洋HIT電池的轉換效率于2015年已達到25.6%。2015年三洋的HITZL保護結束，技術壁壘消除，是我國大力發展和推廣HIT技術的大好時機。
下圖是HIT太陽能電池的基本構造，其特征是以光照射側的p-i型a-Si：H膜（膜厚5-l0nm）和背面側的i-n型a-Si：H膜（膜厚5-l0nm）夾住晶體硅片，在兩側的頂層形成透明的電極和集電極，構成具有對稱結構的HIT太陽能電池。