有機半導體n型摻雜研究新進展
在國家自然科學基金項目（批準號：21774055、51903117）等資助下，南方科技大學郭旭崗教授團隊與美國Flexterra公司Antonio Facchetti合作，在有機半導體n-型摻雜中取得進展。相關成果以“過渡金屬催化的有機半導體n-型分子摻雜（Transition metal catalysed molecular n-doping of organic semiconductors）”為題于2021年11月4日在《自然》(Nature)上發表。論文鏈接：https://doi.org/10.1038/s41586-021-03942-0 。 有機半導體的n-型摻雜是實現高性能有機發光二極管、有機太陽能電池、有機晶體管和有機熱電等有機光電器件及進行有機半導體電荷傳輸研究的關鍵技術，相比于p-型（空穴）摻雜，n-型（電子）摻雜更具有挑戰。理想的n-型分子摻雜劑應同時具有高空氣穩定性，強還原能力和高摻雜效率等特點......閱讀全文
有機半導體n型摻雜研究新進展
在國家自然科學基金項目（批準號：21774055、51903117）等資助下，南方科技大學郭旭崗教授團隊與美國Flexterra公司Antonio Facchetti合作，在有機半導體n-型摻雜中取得進展。相關成果以“過渡金屬催化的有機半導體n-型分子摻雜（Transition metal ca
國內外學者在有機半導體n型摻雜研究方面取得進展
圖1 基于過渡金屬催化的n-型分子摻雜概念和對應的催化摻雜機理 在國家自然科學基金項目（批準號：21774055、51903117）等資助下，南方科技大學郭旭崗教授團隊與美國Flexterra公司Antonio Facchetti合作，在有機半導體n-型摻雜中取得進展。相關成果以“過渡金屬催化的有
半導體摻雜有什么作用
半導體的摻雜是為了提高半導體器件的電學性能，半導體的很多電學特性都與摻雜的雜質濃度有關。純正的半導體是靠本征激發來產生載流子導電的，但是僅僅依靠本證激發的話產生的載流子數量很少，而且容易受到外間因素如溫度等的影響。摻入相應的三價或是五價元素則可以在本征激發外產生其他的載流子。半導體的常用摻雜技術主要
摻雜空氣可讓有機半導體更導電
瑞典林雪平大學的研究人員開發了一種新方法，在空氣作為摻雜劑的幫助下，可讓有機半導體變得更具導電性。發表在最新一期《自然》雜志上的這項研究，是邁向未來生產廉價和可持續有機半導體的重要一步。林雪平大學副教授西蒙娜·法比亞諾表示，這種方法可以顯著影響有機半導體的摻雜方式。新方法中所有組件都是實惠的、容易獲
摻雜空氣可讓有機半導體更導電
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlne科技日報北京5月19日電?（記者張佳欣）瑞典林雪平大學的研究人員開發了一種新方法，在空氣作為摻雜劑的幫助下，可讓有機半導體變得更具導電性。發表在最新一期《自然》雜志上的這項研究，是邁向未來生產廉價和可持續有機半導體的重要一步。
半導體所二維半導體磁性摻雜研究取得進展
近年來，二維范德華材料如石墨烯、二硫化鉬等由于其獨特的結構、物理特性和光電性能而被廣泛研究。在二維材料的研究領域中，磁性二維材料具有更豐富的物理圖像，并在未來的自旋電子學中有重要的潛在應用，越來越受到人們的關注。摻雜是實現二維半導體能帶工程的重要手段，如果在二維半導體材料中摻雜磁性原子，則這些材
新技術在水溶液中精確摻雜有機半導體
由日本國立材料科學研究所、東京大學和東京科學大學組成的研究團隊，首次開發出能在水溶液中精確摻雜有機半導體的技術。最新技術不需要在真空中使用特殊設備獲得氮氣環境，有望給半導體領域帶來全新突破，并在醫療保健和生物傳感領域找到用武之地。相關論文發表于最新一期《自然》雜志。 在最新研究中，科學家開發出
新技術在水溶液中精確摻雜有機半導體
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/1/516074.shtm
新型的sp摻雜N原子引入石墨炔－性能表現優異
中科院過程工程研究所王丹團隊聯合中科院化學所李玉良團隊，成功在超薄石墨炔材料上引入一種新型的sp摻雜N原子，這種新型的石墨炔材料表現出非常優異的性能。該成果日前發表在《自然—化學》上。 氧還原反應（ORR）是能源儲存和轉化的基礎，在燃料電池中有著重要應用。目前，氧還原反應以鉑基催化劑的催化活性
什么是半導體測試儀器以及它的用處
半導體的導電性能介于導體和絕緣體之間，不摻雜的半導體(也叫本征半導體)的導電性能很差，但摻雜后的半導體就有一定的導電性能了，例如在Si半導體中摻雜P或者B等雜質就可以使半導體變成N型或P型半導體。N型半導體中電子是多數載流子，而P型半導體中空穴是多數載流子。 半導體制成的PN結具有單向導電特性
電子型半導體的概念
也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大于空穴濃度的雜質半導體。
半導體的種類有哪些
一、N型半導體N型半導體也稱為電子型半導體，即自由電子濃度遠大于空穴濃度的雜質半導體。形成原理摻雜和缺陷均可造成導帶中電子濃度的增高. 對于鍺、硅類半導體材料，摻雜Ⅴ族元素，當雜質原子以替位方式取代晶格中的鍺、硅原子時，可提供除滿足共價鍵配位以外的一個多余電子，這就形成了半導體中導帶電子濃度的增加，
PN結的長生之道
陰陽相互吸引卻不融合，半導體PN結也是這樣：N型雜質和P型雜質相互吸引，而一旦彼此融合，卻意味著PN結的死亡與半導體性能的喪失。研究人員發現，在納米線中加入軸向扭曲，可以令二者保持分離，使PN結“長生”、器件壽命延長。Illustration of the relative formation
N摻雜對非晶C薄膜的電子結構與光學性質的影響
用直流磁控濺射法制備了非晶C薄膜及N摻雜非晶C(a-C∶N)薄膜,用紫外-可見分光光譜儀、橢圓偏振儀、俄歇電子能譜(AES)等對薄膜進行了檢測。結果表明:隨源氣體中N氣含量的增加,透過率和折射率變小,而光學帶隙先增大后減小;當薄膜中N的含量很少,N的摻入對sp3雜化C起穩定作用,使得薄膜光學帶隙Eg
MnSi1.7薄膜熱電性能研究
本文對n型和p型MnSi1.7薄膜進行了俄歇譜分析,研究了化學位移和薄膜電學性能之間的關系。和純Mn相比,p型和n型MnSi1.7薄膜樣品的Mn[MVV]峰分別有+2.0和+7.0 eV的化學位移。與純Mn [LMM]的峰位在545、592、638 eV處相比,p型和n型MnSi1.7薄膜的545
黑磷摻雜改性研究取得進展
黑磷，作為新型的二維材料，具有可調的帶隙（通過厚度調控）以及大于1000 cm2V-1s-1的電子遷移率，既能彌補石墨烯零帶隙的不足，也能克服TMDCs載流子遷移率低的缺點，是高性能的納米電子器件的優秀候選材料。本征黑磷是P型材料，空穴傳輸能力強，但電子傳輸能力很差。單極性特性使黑磷很難在互補型
什么是“能帶邊嵌定”
不知道你是否指的是“費米能級釘扎效應”？——即費米能級不能因為摻雜而發生移動、相應的能帶邊也就不能移動的一種現象。本來半導體中的Fermi能級是容易發生位置變化的。例如，摻入施主雜質即可使Fermi能級移向導帶底，半導體變成為n型半導體；摻入受主雜質即可使Fermi能級移向價帶頂，半導體變成為p型半
化學所在有機熱電研究方面取得系列進展
有機半導體獨特的電子結構與分子堆積特性賦予其豐富的物理化學性質，在電荷傳輸和能量轉換器件中有廣闊的應用前景。近年來，有機半導體的熱電性質研究開始起步，逐漸發展成為重要的前沿研究方向。盡管相關研究有望為有機半導體的功能性質與應用研究帶來新的增長點，但人們在有機熱電材料和器件的諸多方面都缺乏基本認知
n端b型鈉尿肽原高
門診提問：b型鈉尿肽高如何治療？我的母親前段時間感覺胸痛，我們就聽醫生的話做了檢查，結果查出來b型鈉尿肽高。b型鈉尿肽高怎么治療？ 疾病解析: b型鈉尿肽高，需要針對引起這種變化的原發疾病進行治療。心功能不全是引起b型鈉尿肽高的主要原因。患者有胸痛的癥狀，被檢查出來這種情
噻吩硫摻雜氮化碳促進nπ*電子躍遷增強光催化活性
Sulfur promoted n-π* electron transitions in thiophene-doped g-C3N4 for enhanced photocatalytic activity 噻吩硫摻雜氮化碳促進n-π*電子躍遷增強光催化活性 葛飛躍, 黃樹全, 顏佳,
PN結半導體探測器的類型
擴散結(Diffused Junction)型探測器 采用擴散工藝——高溫擴散或離子注入 ；材料一般選用P型高阻硅，電阻率為1000；在電極引出時一定要保證為歐姆接觸，以防止形成另外的結。 金硅面壘(Surface Barrier)探測器 一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100μg/c
電子型半導體的發展應用
半導體器件的最基本組成單元為PN結，PN結具有正向導通反向絕緣的功能，因此半導體器件在邏輯計算、信號傳輸、電力轉換等諸多方面呈現出巨大優勢。自1947年第一個半導體二極管在貝爾實驗室誕生以來，半導體徹底變革了人類的生產生活方式，全球社會陸續從電氣時代進入信息化時代，并加速向萬物互聯時代和人工智能智能
電子型半導體的形成原理
摻雜和缺陷均可造成導帶中電子濃度的增高。對于鍺、硅類半導體材料，摻雜Ⅴ族元素(磷、砷、銻等)，當雜質原子以替位方式取代晶格中的鍺、硅原子時，可提供除滿足共價鍵配位以外的一個多余電子，這就形成了半導體中導帶電子濃度的增加，該類雜質原子稱為施主。Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素。某些氧化物
P型半導體的主要作用
空穴型半導體又稱P型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。在純硅中摻入微量3價元素銦或鋁，由于銦或鋁原子周圍有3個價電子，與周圍4價硅原子組成共價結合時缺少一個電子，形成一個空穴。空穴相當于帶正電的粒子，在這類半導體的導電中起主要作用。
P型半導體的形成原因
在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。由于P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。
電子型半導體的技術特點
半導體是一種導電能力介于導體和絕緣體之間的物質，其按照載流子（或晶體缺陷）的不同可分為P型半導體和N型半導體，半導體的導電性能與載流子（晶體缺陷）的密度有很大關系。半導體中有兩種載流子，即價帶中的空穴和導帶中的電子，以電子導電為主的半導體稱之為N型半導體，與之相對的，以空穴導電為主的半導體稱為P型半
半導體所在石墨烯的化學摻雜及其物性研究方面取得新進展
石墨插層化合物自1841年被發現以來，一直廣泛應用于電極、電導體、超導體和電池等方面。但是，傳統的石墨插層化合物由于其厚度和大尺寸的限制，很難應用于納米器件。另一方面，石墨烯在納米電子和光電子器件方面具有顯著的潛在應用，提高其載流子濃度和遷移率一直是基礎物理和器件應用研究領域所致力解決的目標之一
福建物構所稀土摻雜半導體納米發光材料研究取得新進展
稀土摻雜TiO2納米晶敏化發光和上轉換發光示意圖 稀土離子和半導體納米晶(或量子點)本身都是很好的發光材料，二者的有效結合能否生出新型高效發光或激光器件一直是國內外學者關注的科學問題。與絕緣體納米晶相比，半導體納米晶的激子玻爾半徑要大得多，因此量子限域效應對摻雜半導體納米晶發光
光伏效應的能帶
在熱平衡條件下，結區有統一的EF；在遠離結區的部位，EC、EF、Eν之間的關系與結形成前狀態相同。從能帶圖看，N型、P型半導體單獨存在時，EFN與EFP有一定差值。當N型與P型兩者緊密接觸時，電子要從費米能級高的一方向費米能級低的一方流動，空穴流動的方向相反。同時產生內建電場，內建電場方向為從N區指
常用鐵磁半導體介紹
以下是幾種鐵磁半導體：摻錳的砷化銦和砷化鎵（GaMnAs），居里溫度在分別在50-100k和100-200k。摻錳的銻化銦，不過在常溫下具有鐵磁性和錳濃度不到1%。氧化物類半導體：1.摻錳的氧化銦，常溫下具有鐵磁性。2.氧化鋅。3.摻錳的氧化鋅。4.摻n型鈷的氧化鋅。二氧化鈦：摻鈷的二氧化鈦，常溫下