微電子所在鐵電垂直環柵納米器件研究方面取得進展
鐵電晶體管（FeFET）具有非易失性數據存儲、納秒級的編程/擦除速度、低功耗操作、超長的數據保存時間以及與CMOS工藝兼容等優點，被認為是未來非易失存儲器應用的候選器件。在5nm技術節點以下，由于器件柵長（小于18納米）和鐵電薄膜厚度（大約10納米）相近，基于FinFET和水平環柵晶體管（GAAFET）的FeFET無法進一步微縮，而垂直環柵晶體管（VGAAFET）不受柵長的約束，同時在3D集成和布線上有明顯優勢，具有大幅增加集成度的潛力，因此更適合5納米技術節點以下的FeFET結構。 中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心研究員朱慧瓏團隊利用自主研發的集成工藝，制造出了具有自對準柵極的鐵電垂直環柵納米晶體管（Fe-VSAFET），其中包括柵長為40納米，溝道厚度為16納米的納米片和直徑為30納米的納米線兩類器件。該器件具有小于pA級的漏電，大于107的開關比，100ns級的編程/擦除速度和2.3V的最大存儲窗口等優......閱讀全文
微電子所在鐵電垂直環柵納米器件研究方面取得進展
鐵電晶體管（FeFET）具有非易失性數據存儲、納秒級的編程/擦除速度、低功耗操作、超長的數據保存時間以及與CMOS工藝兼容等優點，被認為是未來非易失存儲器應用的候選器件。在5nm技術節點以下，由于器件柵長（小于18納米）和鐵電薄膜厚度（大約10納米）相近，基于FinFET和水平環柵晶體管（GAAFE
微電子所在鐵電垂直環柵納米器件研究方面取得進展
鐵電晶體管（FeFET）具有非易失性數據存儲、納秒級的編程/擦除速度、低功耗操作、超長的數據保存時間以及與CMOS工藝兼容等優點，被認為是未來非易失存儲器應用的候選器件。在5nm技術節點以下，由于器件柵長（小于18納米）和鐵電薄膜厚度（大約10納米）相近，基于FinFET和水平環柵晶體管（GAA
朱慧瓏團隊在鐵電垂直環柵納米器件研究獲進展
鐵電晶體管（FeFET）具有非易失性數據存儲、納秒級的編程/擦除速度、低功耗操作、超長的數據保存時間以及與CMOS工藝兼容等優點，被認為是未來非易失存儲器應用的候選器件。在5nm技術節點以下，由于器件柵長（小于18納米）和鐵電薄膜厚度（大約10納米）相近，基于FinFET和水平環柵晶體管（GAA
新型納米復合離子聚合物電驅動器件問世
最近，中科院蘇州納米所研究員陳韋課題組制備出石墨烯包裹銀納米顆粒的電極，并在此基礎上成功設計出電化學穩定的新型納米復合離子聚合物電驅動器件。相關研究成果近日在線發表于《先進材料》雜志。 據了解，金屬電極復合離子聚合物是一種新型的智能材料，可廣泛應用于仿生機器人、微醫療器械、微流控、人機交互
中科院電工所制備鐵電半導體耦合光伏器件
記者日前從中科院電工所獲悉，該所化合物薄膜太陽能電池研究組在普通鈉鈣玻璃上制備的鐵電-半導體耦合光伏器件，經中科院太陽光伏發電系統和風力發電系統質量檢測中心認證，其轉化效率達11.3%。 鐵電-半導體耦合光伏器件，又叫納米偶極子太陽能電池，屬第三代太陽能電池。與傳統PN結不同的是，該光伏器件是
電真空器件展|2024年上海電真空器件展覽會
2024上海國際電子制造設備展覽會? ? ? ? ? ? ? ? ??時間： 2024年11月18-20日?地點： 上海新國際博覽中心主辦：中國電子器材有限公司協辦：香港貿易發展局? ? 臺灣區電機電子工業同業公會 韓國電子產業振興會? ? 日本電子展協會? ?中國電子元件行業協會展會背景：電子
碳納米晶體管性能首次超越硅晶體管
據美國威斯康星大學麥迪遜分校官網近日報道，該校材料學家成功研制的1英寸大小碳納米晶體管，首次在性能上超越硅晶體管和砷化鎵晶體管。這一突破是碳納米管發展的重大里程碑，將引領碳納米管在邏輯電路、高速無線通訊和其他半導體電子器件等技術領域大展宏圖。 碳納米管管壁只有一個原子厚，是最好的導電材料之一，
納米紙有機晶體管問世
近日，同濟大學材料科學與工程學院教授黃佳、美國馬里蘭大學材料科學與工程系教授Hu Liangbing等共同完成的研究論文《全透明可彎曲納米紙晶體管》，在線發表于納米科學技術領域權威期刊ACS Nano。 “透明化、可彎曲是電子產品未來發展的兩個重要方向。這一成果最大的創新點，
納米紙有機晶體管問世
近日，同濟大學材料科學與工程學院教授黃佳、美國馬里蘭大學材料科學與工程系教授Hu Liangbing等共同完成的研究論文《全透明可彎曲納米紙晶體管》，在線發表于納米科學技術領域權威期刊ACS Nano。 “透明化、可彎曲是電子產品未來發展的兩個重要方向。這一成果最大的創新點，是將全透明
科學家開發出三維垂直場效應晶體管
科技日報北京6月14日電 （記者張夢然）通過鐵電柵極絕緣體和原子層沉積氧化物半導體通道，日本科學家制造了三維垂直場效應晶體管，可用來生產高密度數據存儲器件。此外，通過使用反鐵電體代替鐵電體，他們發現擦除數據只需要很小的凈電荷，從而提高了寫入的效率。發表在2022年IEEE硅納米電子研討會上的該
木質晶體管讓電子器件長在樹上
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/499338.shtm ???由輕木制成的木制晶體管。圖片來源：Van Chinh Tran一種由導電木材制成的電氣開關，可能成為未來嵌入活樹和其他植物中的電子設備的基石。相關研究成果近日發表于美國
中科院金屬所研發出新型門可調阻變存儲器
近期，中國科學院金屬研究所（以下簡稱金屬所）沈陽材料科學國家研究中心與國內多家單位合作，研究團隊通過設計二維半導體與二維鐵電材料的特殊能帶對齊方式，將金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）與非隧穿型的鐵電憶阻器垂直組裝，首次構筑了基于垂直架構的門電壓可編程的二維鐵電存儲器。相關研究成果11
美國：全新“負電容”晶體管－為高效晶體管研發帶來希望
2008年，美國普渡大學的一個研究團隊曾提出利用負電容原理制造新型低功耗晶體管的概念。近日，加州大學伯克利分校的研究人員通過實驗對這一概念進行了驗證演示。研究人員利用一層極薄的二硫化鉬二維材料半導體層作為臨近晶體管柵極的溝道。然后，利用鐵電材料氧化鋯鉿制作新型負電容柵極的關鍵組件。該研究內已于2
英特爾：將繼續推動摩爾定律的創新
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/12/490898.shtm未來晶體管的發展是否依舊遵循摩爾定律？在近日舉行的2022 IEEE國際電子器件會議（IEDM 2022）上，英特爾給出了肯定的回答。12月8日，在接受《中國科學報》等記者采訪時，英
鐵電和反鐵電薄膜熱開關領域獲得重要進展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/12/514756.shtm
“納米畫筆”勾勒未來低維半導體器件
如今人們的生活節奏在加快，對電子設備的要求也越來越高。各種新款電子設備都在變著法子表明自己功能更強大、體型更輕薄。然而，電子設備的功能越豐富、性能越強大，意味著這些設備單位體積中容納的電子元件數目越多；體型越小意味著這些電子元件功能單元的體積越來越小。 就像我們每天都使用的手機，它的中央處理
納米線晶體管能自我修復
據美國電氣與電子工程師協會《光譜》雜志網站11日報道，美國國家航空航天局（NASA）與韓國科學技術研究院（KAIST）合作，研制出了一款能自我修復的晶體管。研究人員表示，最新自我修復技術有助于研制單芯片飛船，其能以五分之一光速飛行，在20年內抵達距太陽系最近的恒星“比鄰星”。 今年4月12日
鐵電局域場增強納米線光電探測器研究獲進展
近日，中國科學院上海技術物理研究所紅外物理國家重點實驗室胡偉達研究員、武漢大學物理學院廖蕾教授等研究人員在鐵電局域場增強納米線光電探測器研究取得進展，相關成果以“When Nanowires Meet Ultrahigh Ferroelectric Field? -High-Performan
中科院微電子所研制高性能的負電容FinFET器件
近日，中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心，面向5納米及以下節點高性能和低功耗晶體管性能需求，基于主流后高K金屬柵（HKMG-last）三維FinFET器件集成技術，成功研制出高性能的負電容FinFET器件。 現有硅基晶體管受玻爾茲曼熱力學限制，室溫下亞閾值擺幅SS≥60mV/dec
Science發文！我國學者“存儲—計算一體化器件”研究新成果
在國家自然科學基金項目（61974050、61725505和61905266）等資助下，華中科技大學葉鐳副教授與中國科學院上海技術物理研究所胡偉達研究員等合作團隊，在存儲—計算一體化器件研究方面取得進展。研究成果以“基于二維材料的面向神經形態硬件的同質晶體管-存儲器結構（2D materials
什么是鐵電疇？
為什么鐵電體會有電滯回線？主要是因為鐵電體是由鐵電疇組成的。理想單疇鐵電單晶體中，晶體內部所有區域的自發極化P全部指向同一方向，整個晶體將在內外部空間建立起電場。那么周圍空間將儲存相當大的靜電能量，從能量角度來看，這種狀態是不穩定的。因此，晶體中鐵電相的自發極化總是會分裂成一系列極化方向不同的
什么是鐵電疇？
為什么鐵電體會有電滯回線？主要是因為鐵電體是由鐵電疇組成的。理想單疇鐵電單晶體中，晶體內部所有區域的自發極化P全部指向同一方向，整個晶體將在內外部空間建立起電場。那么周圍空間將儲存相當大的靜電能量，從能量角度來看，這種狀態是不穩定的。因此，晶體中鐵電相的自發極化總是會分裂成一系列極化方向不同的小區域
物理所等實現二維原子晶體硒化銦高性能光電探測器
二維層狀原子晶體材料的物理性能（如帶隙等）隨厚度減小而變化，在光子和光電子器件的應用中具有廣闊前景。光電探測器作為重要的光電應用單元器件，引發學界廣泛關注，近年來基于二維原子晶體材料的光電晶體管成為最主要的關注對象之一。除半金屬的石墨烯之外，半導體二維原子晶體材料（如過渡金屬硫屬化合物、II-V
新型二維鐵電材料鐵電疇結構的調控研究獲進展
鐵電材料因具有穩定的自發極化，且在外加電場下具有可切換的極化特性，在非易失性存儲器、傳感器、場效應晶體管以及光學器件等方面具有廣闊的應用前景。與傳統的三維鐵電材料不同，二維范德華層狀鐵電材料表面沒有懸空鍵，這可降低表面能，有助于實現更小的器件尺寸。此外，傳統三維鐵電薄膜的外延生長需要合適的具有小
電工所研制出首例突破11％的鐵電半導體耦合光伏器件
日前，中國科學院電工研究所化合物薄膜太陽能電池研究組在普通鈉鈣玻璃上制備的鐵電-半導體耦合光伏器件，經中國科學院太陽光伏發電系統和風力發電系統質量檢測中心認證，其轉化效率達到11.3%。 鐵電-半導體耦合光伏器件也稱為納米偶極子太陽能電池，屬于第三代太陽能電池。與傳統PN結不同的是，這種光伏
首個10納米以下碳納米管晶體管問世
據美國物理學家組織網2月2日(北京時間)報道，來自IBM、蘇黎世理工學院和美國普渡大學的工程師近日表示，他們構建出了首個10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管，而這種尺寸正是未來十年計算技術所需的。這種微型晶體管能有效控制電流，在極低的工作電壓下，仍能保持出眾的電流密度，甚至可超過同尺
極陡峭亞閾值擺幅場效應晶體管實高靈敏室溫光電探測
近日，中科院上海技術物理研究所王建祿研究員,胡偉達研究員與中科院微電子所劉琦研究員等人合作，設計出一種極陡峭亞閾值擺幅的場效應晶體管，并基于該結構實現了極高靈敏光電探測功能，綜合利用了鐵電負電容效應、鐵電極化誘導局域場效應及“photogating”效應，基于鐵電局域靜電場和鐵電負電容效應的共同
鐵電材料電滯回線的測量
測量鐵電材料電滯回線的方法通常有兩種：沖擊檢流計描點法和 Sawyer-Tower電路法。第二種方法可用超低頻示波器進行觀察以及用xy函數記錄儀進行記錄，簡便迅速，故人們常常采用。 采用Sawyer-Tower電路準靜態測試鐵電陶瓷材料電滯回線的測量原理圖（GB/T6426-1999）如
鐵電材料電滯回線的測量
測量鐵電材料電滯回線的方法通常有兩種：沖擊檢流計描點法和 Sawyer-Tower電路法。第二種方法可用超低頻示波器進行觀察以及用xy函數記錄儀進行記錄，簡便迅速，故人們常常采用。 采用Sawyer-Tower電路準靜態測試鐵電陶瓷材料電滯回線的測量原理圖（GB/T6426-1999）
鐵電局域場增強納米線光電探測器研究中獲進展
近日，中國科學院上海技術物理研究所紅外物理國家重點實驗室胡偉達、王建祿、孟祥建、陳效雙、陸衛以及武漢大學廖蕾等研究人員在鐵電局域場增強納米線光電探測器研究中取得進展，相關成果以When Nanowires Meet Ultrahigh Ferroelectric Field? -High-Per