研究人員開發新型光學“硅”與芯片技術
鉭酸鋰異質集成晶圓及高性能光子芯片示意圖。中國科學院上海微系統與信息技術研究所供圖中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員歐欣團隊聯合瑞士洛桑聯邦理工學院的托比亞斯·基彭貝格團隊，在鉭酸鋰異質集成晶圓及高性能光子芯片制備領域取得突破性進展。相關成果5月8日發表于《自然》。近年來，鈮酸鋰受到廣泛關注，有“光學硅”之稱，美國哈佛大學等國外高校和研究機構甚至提出仿照“硅谷”模式建設新一代“鈮酸鋰谷”的方案。歐欣團隊與合作者通過研究發現，相比于鈮酸鋰，單晶鉭酸鋰薄膜不僅具有類似的優異電光轉換特性，并且在雙折射、透明窗口范圍、抗光折變、頻率梳產生等方面更具優勢。此外，鉭酸鋰薄膜可實現低成本和規模化制造，具有極高的應用價值。歐欣團隊采用基于“萬能離子刀”的異質集成技術，通過氫離子注入結合晶圓鍵合的方法，制備了高質量硅基鉭酸鋰單晶薄膜異質晶圓。他們還與合作團隊聯合開發了超低損耗鉭酸鋰光子器件微納加工方法，對應器件的光學損耗普遍低于已報道晶圓......閱讀全文
上海微系統所等開發出可批量制造的新型光學“硅”與芯片技術
5月8日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員歐欣團隊在鉭酸鋰異質集成晶圓及高性能光子芯片制備領域取得突破性進展。相關研究成果以《可批量制造的鉭酸鋰集成光子芯片》（Lithium tantalate photonic integrated circuits for volume manufac
科學家成功研發可批量制造新型光子芯片技術
中新網北京5月9日電 (記者 孫自法 鄭瑩瑩)中國科學院最新發布消息說，由中國科學院上海微系統與信息技術研究所(上海微系統所)、瑞士洛桑聯邦理工學院組成的合作團隊在國際上另辟蹊徑，最近在鉭酸鋰異質集成晶圓及高性能光子芯片制備領域取得突破性進展，已成功研發并實現可批量制造的新型光子芯片——鉭酸鋰集成光
研究人員開發新型光學“硅”與芯片技術
鉭酸鋰異質集成晶圓及高性能光子芯片示意圖。中國科學院上海微系統與信息技術研究所供圖中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員歐欣團隊聯合瑞士洛桑聯邦理工學院的托比亞斯·基彭貝格團隊，在鉭酸鋰異質集成晶圓及高性能光子芯片制備領域取得突破性進展。相關成果5月8日發表于《自然》。近年來，鈮酸鋰受到廣泛關注
上海微系統所開發新型光學“硅”與芯片技術
5月8日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所（以下簡稱上海微系統所）的研究員歐欣團隊聯手瑞士洛桑聯邦理工學院托比亞斯·基彭貝格團隊，在鉭酸鋰異質集成晶圓及高性能光子芯片領域取得突破性進展，相關成果發表于《自然》。鈮酸鋰有“光學硅”之稱，近年間受到了廣泛關注，哈佛大學等國外研究機構甚至提出了仿照“硅
鈮酸鋰微波光子芯片－高速精確低能耗
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/518117.shtm 集成微波光子處理芯片效果圖??受訪者供圖香港城市大學電機工程學系副教授王騁團隊，與香港中文大學研究人員合作，利用鈮酸鋰為平臺，開發出處理速度更快、能耗更低的微波光子芯片，可運
基于鉭酸鋰單晶薄膜的電光頻率梳芯片研究取得重要進展
1月22日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員歐欣團隊聯合美國科羅拉多大學教授Gabriel Santamaria Botello、瑞士洛桑聯邦理工學院教授Tobias J. Kippenberg團隊，在基于絕緣體上鉭酸鋰單晶薄膜的電光頻率梳芯片研究方面取得重要進展。相關研究成果以Ultra
硅光子芯片讓“量子羅盤”更小更精確
科技日報北京8月14日電 （記者張佳欣）美國桑迪亞國家實驗室研究人員利用硅光子微芯片組件，執行了一種名為原子干涉的量子傳感技術。這是一種測量加速度的超高精度方法，也是研發無需全球定位系統（GPS）信號也能進行導航的“量子羅盤”最新成果。研究論文發表在最新一期《科學進展》上。全集成多通道硅光子單邊帶
硅光子芯片讓“量子羅盤”更小更精確
美國桑迪亞國家實驗室研究人員利用硅光子微芯片組件，執行了一種名為原子干涉的量子傳感技術。這是一種測量加速度的超高精度方法，也是研發無需全球定位系統（GPS）信號也能進行導航的“量子羅盤”最新成果。研究論文發表在最新一期《科學進展》上。智能手機、健身追蹤器或虛擬現實設備內部都有微小的傳感器用于追蹤位置
超均勻無序波導和近紅外硅光子學器件
近日，來自美國和英國的一個聯合研究小組的研究人員們推出了超均勻無序平臺實現近紅外(NIR)光子設備來創建、探測和操縱光。 他們在一個絕緣體上的硅(SOI)平臺上建造了這個裝置，以演示在一個不受晶體對稱性約束的靈活的硅集成電路結構的功能。 科學家們報告了被動器件元件的結果，包括波導和諧振器與傳
中美研究人員設計出新型硅基光子芯片
中國南京大學和美國加州理工學院研究人員11月25日在英國《自然·材料》雜志網絡版上發表論文稱，他們設計出一種新型硅基光子芯片，初步實現了光的單向無反射傳輸，拓展了光子晶體及傳統超構材料的研究領域，為經典光系統中探索和發展具有量子特性的新型光子器件提供了新的研究思路。 通過光子而非電子攜帶信
谷歌硅光子芯片實現無電纜數據傳輸
據美國趣味科學工程網站2日消息，谷歌X實驗室近期推出其下一代硅光子芯片Taara。這款芯片無需電纜，僅通過光束即實現了高達10Gbps（千兆比特每秒）的數據傳輸速度，或將重新定義連接和使用互聯網的方式。 第一代Taara技術，主要依賴鏡子、傳感器和硬件系統等物理方式控制光束。而最新一代Taar
新款晶圓問世|硅基化合物光電集成技術大突破
據中國光谷消息，全球首片8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓在九峰山實驗室下線。此項成果使用8寸SOI硅光晶圓鍵合8寸鈮酸鋰晶圓，單片集成光電收發功能，為目前全球硅基化合物光電集成最先進技術。近年來，由于5G通信、大數據、人工智能等行業的強力驅動，光子集成技術得到極大關注。公開資料顯示，光子集成的概念類可
中國科大實現電泵浦片上集成高亮度糾纏量子光源
中國科學技術大學教授潘建偉、張強等組成的研究團隊與濟南量子技術研究院、中國科學院半導體研究所等單位合作，通過混合集成分布式反饋激光器與薄膜鈮酸鋰光子芯片，成功實現了電泵浦片上集成的高亮度偏振糾纏源，向集成化量子信息處理邁出重要一步。12月16日，相關成果以“編輯推薦”的形式于發表于《物理評論快報》。
我國學者實現電泵浦片上集成高亮度糾纏量子光源
圖 電泵浦偏振糾纏光子源封裝示意圖及TFLN光子芯片 在國家自然科學基金項目（批準號：T2125010, 62204238）等資助下，中國科學技術大學潘建偉教授、張強教授及其合作者，通過混合集成分布式反饋激光器與薄膜鈮酸鋰光子芯片，成功實現了電泵浦、片上集成的高亮度偏振糾纏源，向集成化量子信息處理
八英寸SOI/鈮酸鋰異質集成技術新進展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519020.shtm近日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所（以下簡稱微系統所）硅基材料與集成器件實驗室研究員蔡艷、歐欣合作，利用上海微技術工業研究院標準180 nm硅光工藝在八英寸 SOI上制備了硅光
大規模異質集成光量子芯片研究取得進展
光量子芯片是推動光量子信息技術走向實用化的必然趨勢。當前，主流光量子芯片大多依賴基于非線性光學過程的概率性光源產生單光子信號，但光子發射具有“幾率”特性，導致發射效率低、多光子量子比特制備困難。相比之下，固態原子具有類原子的二能級結構，可實現確定性、高效率的單光子發射，是實現片上多光子量子比特制備的
新方法讓光子電子動量相匹配－有望使硅基器件獲新功能
美國麻省理工學院和以色列理工學院的科學家近日宣布，他們合作設計出一種新方法，讓光子的動量與電子的動量相匹配，從而增強光和物質的相互作用。最新研究有望催生更高效的太陽能電池、新型激光器以及發光二極管（LED）等設備。 研究人員解釋稱，一般而言，電子的動量比光粒子（光子）的動量大幾個數量級，由于動
重磅發布！2024中國光學十大社會影響力事件
中國光學十大社會影響力事件（Light10）是中國科技期刊卓越行動計劃領軍期刊 Light: Science & Applications （https://www.nature.com/lsa/）攜手中國科學報社旗下科學傳播旗艦品牌 科學網（https://www.sciencenet.cn/）
可控硅器件的概念
晶閘管又叫可控硅(Silicon Controlled?Rectifier, SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等。 可控硅器件是一種非常重要的功率器件，可用來做高電壓和高電
硅光子平臺開發獲重要成果
近日，中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心研究員閆江團隊在硅光子平臺開發方面取得新進展，完成硅基波導集成的鍺探測器和硅基調制器的流片并取得優良結果。 硅光子技術是集成電路后摩爾時代的發展方向之一，旨在利用基于互補金屬氧化物半導體（CMOS)工藝的大規模集成電路技術在硅基襯底上進行光子
鈮酸鋰晶體中的交叉偏振布里淵增益特性首次被揭示
近日，電子科技大學信息與通信工程學院光纖傳感與通信教育部重點實驗室研究團隊，聯合美國科羅拉多大學博爾德分校，在《自然—光子學》上發表研究論文，首次系統揭示了鈮酸鋰晶體中的交叉偏振布里淵增益特性，并展示了其與二階非線性的高效耦合機制，從而成功開發出三種創新性光子器件，可為下一代光通信、精密測量和量
助力高速、大容量數據通信，光子芯片大顯身手
1月7日，《激光與光子學評論》以期刊正封面的形式在線發表了來自蘭州大學物理科學與技術學院教授田永輝團隊的文章《基于氮化硅—薄膜鈮酸鋰異質集成平臺的模式與偏振復用》，該工作有望助力高速、大容量數據通信，并為薄膜鈮酸鋰平臺上有源及無源器件全集成的光子芯片提供新的解決方案。 光學復用器是集成光子回路中
中國科大在集成光量子器件中單光子阻塞取得新進展
中國科學技術大學郭光燦院士團隊的鄒長鈴教授研究組，提出了在單個光學模式中，利用極弱的光學非線性實現光子阻塞的新原理和新方案，并分析了其在集成光學芯片上實現的實驗可行性。相關成果日前發表于《物理評論快報》。 鄒長鈴課題組近年來致力于集成光子芯片量子器件研究。在集成芯片上，非線性光學效應能夠通過微納光
有它助陣，集成光電子器件加工不再難
蘭州大學物理科學與技術學院教授田永輝課題組與澳大利亞皇家墨爾本理工大學教授阿南?米切爾課題組及上海交通大學教授蘇翼凱課題組合作，通過在薄膜鈮酸鋰晶圓表面沉積一層氮化硅，利用傳統的刻蝕技術僅僅刻蝕氮化硅層形成亞波長光柵波導，有效應對了薄膜鈮酸鋰集成光電子器件難以加工制作的挑戰，降低了器件尺寸、提升了芯
首次在集成光子芯片上產生偏振糾纏光子對
近日，中科院西安光學精密機械研究所的外專千人計劃Brent E. Little與加拿大魁北克國立科學研究所、香港城市大學、澳大利亞墨爾本皇家理工大學等單位合作，利用非線性微環諧振腔中TE和TM模式間的自發四波混頻效應，結合微環諧振腔的濾波選模作用，首次在集成光子芯片上產生了偏振糾纏光子對的研究成
鋰漂移硅檢測器簡介
鋰漂移硅檢測器，即Si(Li)探測器，是由鋰向硅中漂移制作而成。鋰的數量有極嚴格的要求，而且要求分布均勻在室溫時由于鋰的遷移率很高，會逐步發生反向漂移，使探測器性能下降。用液氮冷卻是為了防止鋰的反漂移。使探測器具有最佳的信噪比。此探測器的窗口法蘭等結合部多少有些微小漏氣，這些氣體由置于探測器內的
鋰漂移硅檢測器原理
當光子進入檢測器后，在Si(Li)晶體內激發出一定數目的電子空穴對。產生一個空穴對的最低平均能量ε是一定的，因此由一個X射線光子造成的空穴對的數目N=△E/ε。入射X射線光子的能量越高，N就越大。利用加在晶體兩端的偏壓收集電子空穴對，經過前置放大器轉換成電流脈沖，電流脈沖的高度取決于N的大小。電
“摻硅補鋰”電池技術介紹
從定義來說，此次智已汽車推出的“摻硅補鋰”技術與蔚來固態電池所用的“無機預鋰化碳硅負極”并無本質上的差異，其實質均為提高負極中硅的含量，同時增加鋰的含量，來彌補因硅含量提升而導致的電池在充放電過程中鋰損耗的提高。關于“摻硅”方面，實際上是在負極材料當中加入硅元素。原因在于，制約動力電池能量密度的已不
“超表面”器件能集成光子量子操作
據最新一期《科學》雜志報道，美國哈佛大學研究人員開發出一種新型光學器件，即“超表面”，可在單一的平面上完成復雜量子操作。超表面可同時承擔多種傳統光學元件功能，解決了光子量子信息處理領域長期存在的體積龐大、組件繁多等擴展性難題，有望推動常溫下量子計算和量子網絡的實現。光子是光的基本粒子，具有高速、抗干
南智光電獲數千萬元A輪融資，集萃華財領投
7月28日消息，南智先進光電集成技術研究院有限公司（以下簡稱“南智光電”）正式完成A輪數千萬元融資，本輪融資由集萃華財領投，隱峰泉資本跟投。融資資金將主要用于公司“薄膜鈮酸鋰+X”光子芯片產線的擴建及工藝系統優化，進一步提升其在新型光子芯片中試驗證、標準化制造與異質集成方向的工程化能力。 南智